考题
绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
考题
零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()
考题
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。
A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
考题
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
考题
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
结型场效应管放大电路的偏置方式是（）A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
绝缘栅型场效应管又分为（）和（），两者区别（）。
考题
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
考题
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
考题
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A
较大B
较小C
为零D
无法判断
考题
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A
正极性B
负极性C
零D
不能确定