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结型场效应管放大电路的偏置方式是()

  • A、自给偏压电路
  • B、外加偏压电路
  • C、无须偏置电路
  • D、栅极分压与源极自偏结合

参考答案

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考题 晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。 A.错误B.正确

考题 晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

考题 晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.发射结反向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 共发射极电路的放大区描述正确的?_________ A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用

考题 晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。

考题 场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对

考题 对图所示的固定偏置电路,以下说法正确的是(  )。 A.发射结正偏,集电结反偏,电路对正弦交流信号有放大作用 B.发射结反偏,集电结正偏,电路没有放大作用 C.发射结、集电结均处正偏,电路没有放大作用 D.发射结、集电结均处反偏,电路没有放大作用

考题 下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

考题 结型场效应管用作放大时,输入端G、S间应保持()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

考题 晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。

考题 NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时,应当发射结正向偏置,集电结反向偏置。

考题 场效应管放大器常用偏置电路一般有()和()两种类型。

考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。

考题 场效应管放大电路的输入电阻,主要由()决定A、管子类型B、gmC、偏置电路D、VGS

考题 双极型三极管是()控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加()偏置,集电结需要加()偏置。场效应管是()控制器件。

考题 对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置

考题 ()偏置放大电路能够自动稳定静态工作点,其代价是降低放大电路的()。

考题 双极型晶体管工作在放大区偏置条件是()增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是()。

考题 BJT用来放大时,应使发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置;而工作在饱和区时,发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置。

考题 结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。

考题 能使放大工作点稳定的偏置电路是()偏置电路

考题 双极型三极管是()控制器件,当其工作在放大区时发射极需要加()偏置电压,集电极需要加()偏置电压;场效应管是()控制器件。

考题 为了保证三极管工作在放大区,应使发射结()偏置,集电路()偏置。

考题 放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 填空题在放大模式偏置下,双极型晶体管的EB结(),CB结反向偏置。

考题 判断题晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。A 对B 错