考题
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。
A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
考题
当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
考题
半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
考题
简述费米能级的意义及半导体与费米能级的关系。
考题
整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
考题
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
考题
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
考题
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
考题
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
考题
单选题通常把服从费米分布的半导体称为（）A
简并半导体B
非简并半导体C
杂质半导体D
化合物半导体
考题
单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A
费米能级靠近导带底B
空穴为多子C
电子为少子D
费米能级靠近靠近于价带顶
考题
填空题半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
考题
单选题N型半导体的费米能级处于禁带（）。A
中间B
上部C
下部D
不确定.
考题
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A
对B
错
考题
填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中，由于载流子（）而产生的过电压。
