考题
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
考题
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
考题
PN结是()形成的。
A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
考题
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
考题
P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
考题
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
考题
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
考题
在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
考题
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
考题
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
考题
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A
对B
错
