网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

下列关于突触前抑制,正确的是

A.突触前膜去极化

B.突触前轴突末梢释放抑制性递质

C.突触后膜的兴奋性降低

D.突触后膜的突触后电位降低


参考答案和解析
D
更多 “下列关于突触前抑制,正确的是A.突触前膜去极化B.突触前轴突末梢释放抑制性递质C.突触后膜的兴奋性降低D.突触后膜的突触后电位降低” 相关考题
考题 关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

考题 突触前抑制的论述中,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

考题 下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

考题 关于突触前抑制的论述,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

考题 关于突触前抑制的叙述,正确的是A、突触前膜超级化B、突触后膜超级化C、突触前膜去极化D、突触后膜去极化E、没有神经递质参与

考题 下列突触前抑制的描述,哪个是不正确的A.突触前膜释放递质量减少B.一定有轴—轴突触存在C.突触前膜释放抑制性递质D.多见于感觉传入途径中

考题 关于突触前抑制的叙述,正确的是A.突触前膜超极化B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触后膜去极化E.没有神经递质参与

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是 A.以树突-树突式突触为结构基础 B.多见于运动传出通路中 C.潜伏期和持续时间均较长 D.因突触前膜发生超极化而产生

考题 关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的? A.结构基础与突触前抑制完全不同 B.到达突触前末梢的动作电位频率高 C.有多个兴奋同时到达突触前末梢 D.进入突触前末梢内的增多

考题 下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是( )A.以树突一树突式突触为结构基础 B.多见于运动传出通路中 C.潜伏期和持续时间均较长 D.因突触前膜发生超极化而产生

考题 关于突触后抑制正确的叙述有()A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C、突触后膜产生IPSPD、突触后膜产生EPSPE、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

考题 抗抑郁药SSRIs的主要作用机制是()A、抑制突触前膜对5-HT的回收B、抑制突触前膜对NE的回收C、抑制突触前膜对DA的回收D、抑制突触前膜对ACH的回收E、抑制突触前膜对GABA的回收

考题 关于突触前抑制的正确描述是()A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化,释放抑制性递质C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化,释放抑制性递质

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部除极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 突触前膜抑制产生的原因是()A、突触前膜预先去极化B、突触前膜预先超极化C、突触前膜预先抑制D、突触前膜预先发生兴奋E、突触前膜预先由兴奋变为抑制

考题 单选题突触前抑制的特点下列不正确的是(  )。A 通过轴突—轴突突触结构的活动来实现B 突触前膜去极化C 潜伏期较长D 持续时间长E 轴突末梢释放抑制性递质

考题 多选题关于突触后抑制正确的叙述有()A可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C突触后膜产生IPSPD突触后膜产生EPSPE一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

考题 多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

考题 单选题突触前膜抑制产生的原因是()A 突触前膜预先去极化B 突触前膜预先超极化C 突触前膜预先抑制D 突触前膜预先发生兴奋E 突触前膜预先由兴奋变为抑制

考题 单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()A 持续时间长B 突触前膜去极化C 潜伏期较长D 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E 轴突末梢释放抑制性递质

考题 单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()。A 突触前膜超极化B 突触后膜超极化C 突触前膜去极化D 突触前膜释放抑制性递质E 潜伏期较短

考题 单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()A 突触前膜超极化B 突触后膜超极化C 突触前膜去极化D 突触后膜去极化E 没有神经递质参与

考题 单选题以下关于突触后抑制,说法不正确的是(  )。A 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的B 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制C 突触后膜产生部分去极化变化D 突触后膜产生超极化变化E 可分为回返性抑制和传入性抑制两种

考题 多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动

考题 单选题关于突触前抑制的正确描述是()A 突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B 突触前膜超极化,释放抑制性递质C 突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D 突触前膜去极化,释放抑制性递质

考题 单选题关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?(  )A 结构基础与突触前抑制不同B 到达突触前末梢的动作电位频率高C 有多个兴奋同时到达突触前末梢D 进人突触前末梢内Ca2+增多E 突触后膜有多个EPSP发生总和