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关于再次应答叙述错误的是

A.潜伏期比初次应答短

B.下降期比初次应答短

C.维持高抗体浓度的时间比初次应答长

D.IgG浓度超过IgM


参考答案和解析
A
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考题 关于电子邮件调查的特点叙述错误的是()。 A:问卷制作方便B:分发迅速C:需要专门技术D:防止用户的重复应答

考题 关于免疫应答的叙述,错误的是A、有多种细胞及分子参与B、分为体液和细胞免疫应答两种类型C、其结局总是对机体有益D、需要抗原诱导产生E、在外周免疫器官中发生

考题 关于再次免疫应答特点错误的是( )A.抗体产生潜伏期比初次应答短B.IgG的滴度高于IgMC.抗体与抗原的亲和力强D.产生抗体维持时间长E.抗体产生速度比初次应答慢

考题 再次应答免疫效果优于初次应答因为A、再次应答抗体产生潜伏期短B、再次应答抗体产生产量高C、再次应答产生的抗体亲和力高D、再次应答产生的抗体在体内维持时间长E、以上均正确

考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 关于固有免疫应答和适应性免疫应答叙述错误的是( )A、固有免疫应答起作用早B、适应性免疫应答维持时间长C、适应性免疫应答有记忆性D、固有免疫应答启动适应性免疫应答E、两者是截然分开的

考题 关于免疫耐受的叙述,下列哪项是错误的( )A、是一种非特异性的免疫应答B、是一种特异性免疫应答C、是免疫无应答状态D、是负免疫应答E、是免疫应答的一种重要类型

考题 在抗体形成过程中,下列哪项叙述是错误的( )。A、Th细胞和B细胞的相互作用受MHC制约B、浆细胞是产生抗体的细胞C、B细胞对TD抗原的应答需巨噬细胞和 Th细胞参加D、B-1细胞活化没有双信号刺激E、再次应答时抗体产生快、效价高

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

考题 关于固有免疫应答,错误的是( )

考题 关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型S 关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型C.有多种细胞及分子参与D.在外周免疫器官中发生E.其结局总是对机体是有益的

考题 有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述,错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgG B.再次应答抗体亲和力高 C.再次应答产生IgG的潜伏期长 D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞 E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生

考题 关于免疫应答的叙述,错误的是()A、需经抗原诱导产生B、分为体液和细胞免疫应答两种类型C、其结局总是对机体是有益的D、有多种细胞及分子参与E、在外周免疫器官中发生

考题 关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的

考题 关于TI-Ag的描述,错误的是()A、产生抗体不需T细胞辅助B、只有B细胞表位C、不引起细胞免疫D、可引起再次应答

考题 再次免疫应答错误叙述()A、APC是BmB、Bm提呈抗原同M¢C、Bm的BCR识别抗原D、Bm活化无需CK

考题 体液免疫的初次应答与再次应答的不同点是()A、初次应答产生的抗体主要是IgM,再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期短D、初次应答的抗原呈递细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原呈递细胞是记忆B淋巴细胞

考题 关于脾脏错误叙述是()A、淋巴细胞发育的场所B、免疫应答的场所C、最大的外周免疫器官D、储存血液的器官

考题 胸腺依赖性抗原引发的体液免疫既有初次应答,()再次应答,而非胸腺依赖性抗原()初次应答,()再次应答。

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考题 单选题再次应答免疫效果优于初次应答因为(  )。A 再次应答抗体产生潜伏期短B 再次应答抗体产生产量高C 再次应答产生的抗体亲和力高D 再次应答产生的抗体在体内维持时间长E 以上均正确

考题 单选题关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A 免疫应答过程中可产生Bm、TmB 在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C 记忆细胞表达CD45RAD 记忆细胞表面分子表达有改变E 再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生