考题
PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
考题
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
考题
PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
考题
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
考题
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
考题
当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
考题
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
考题
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
考题
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B
p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C
平衡载流子破坏原来的热平衡；D
非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
考题
填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
考题
单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A
载流子在耗尽区的漂移时间过长B
将光信号转换为电信号的效率太低C
其所加的反向偏置电压过大D
其注入的非平衡载流子扩散过快
考题
问答题什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
考题
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A
非平衡载流子浓度成正比；B
平衡载流子浓度成正比；C
非平衡载流子浓度成反比；D
平衡载流子浓度成反比。
考题
填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。
考题
单选题一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A
1/4；B
1/e；C
1/e2；D
1/2
考题
填空题非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。