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晶体三极管能够放大的外部条件是_________

A．发射结正偏，集电结正偏

B．发射结反偏，集电结反偏

C．发射结正偏，集电结反偏

D．发射结反偏，集电结正偏

参考答案和解析
发射结正偏，集电结反偏
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考题 晶体三极管的主要用途是()。 A、整流、限幅B、放大、开关C、隔交流、检波D、放大、整流
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体三极管的放大参数是指()。 A.电流放大倍数B.电压放大倍数C.功率放大倍数D.频率放大倍数
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考题 晶体三极管放大电路处于临界饱和状态的条件是发射结(),集电结()。
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考题 晶体三极管是电压放大元件。
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考题 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 晶体三极管有哪两种类型？它们的电流放大作用应满足什么条件？
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考题 晶体三极管的放大参数是电压的放大倍数。
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考题 晶体三极管输出特性曲线放大区中，平行线间隔可直接反映出晶体三极管（）的大小。A、基极电流B、集电极电流C、电流放大倍数D、电压放大倍数
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考题 晶体三极管的放大参数（）。A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、功率放大倍数
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考题 晶体三极管的放大参数是（）。A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、功率放大倍数
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考题 晶体三极管放大的外部条件是：发射极（），集电极（）
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考题 当外部供电情况不同时，晶体三极管讲工作在三种不同的状态中，输出特性分为三个区：饱和区、集电区、放大区。
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考题 晶体三极管的主要功能是（）。A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、变频
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体三极管实现全范围交流放大的条件？（注：答出了前两点就算对了）
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考题 晶体三极管工作在放大状态的条件是发射结加（），集电结加（）。
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考题 晶体三极管有两个PN结，即（）结和（）结；要具有电流放大作用必须具备的外部条件是（）和（）
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考题 晶体三极管的放大参数是指（）。A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、功率放大倍数D、频率放大倍数
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考题 三极管具有放大作用的外部条件是（）、（）。
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考题 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻（）。
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考题 晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和（）结反向偏置。
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考题 晶体三极管的放大参数是（）。
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考题 晶体三极管的放大实际上是（）。
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考题 晶体三极管工作在放大状态的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
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考题 晶体三极管放大电路的基本形式是（）。A、共射极放大电路B、共基极放大电路C、共集电极放大电路D、共阳极放大电路
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考题 填空题晶体三极管的放大参数是（）。
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考题 填空题晶体三极管的放大实际上是（）。
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