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通过快速冷却可形成大量晶核，但晶体细小，容易吸附杂质。（）

参考答案和解析
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更多 “通过快速冷却可形成大量晶核，但晶体细小，容易吸附杂质。（）” 相关考题
考题 晶核的形成有两种情况,一种是均相成核作用,一种是异相成核作用,当均相成核作用大于异相成核作用时,形成的晶核是() A、少B、多C、为晶体晶核D、热水
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考题 添加剂能够吸附在阴极表面,提高阴极极化,使得晶核的生长速度大于晶核的生成速度,从而获得晶粒细小而平滑的镀层。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 ()的钢液冷凝速度快,产生大量晶核,首先凝固成细小的等轴晶粒层,又称激冷层。 A、锭心B、底部C、接触模壁D、冒口
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考题 硫酸镍结晶过程中，加入晶种的主要作用（）。A、促使晶体粒度均匀B、促进晶核的形成和晶体的长大C、增加晶核数量，提高一次成品率
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附
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考题 过饱和度只影响晶核形成快慢，不影响晶体成长过程快慢。
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考题 在浓溶液中沉淀完毕后，加大量热水稀释并搅拌，其目的是（）。A、防止胶体生成B、使吸附的杂质离开沉淀表面转人溶液中C、使沉淀紧密D、使晶核生成的较少
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考题 金属凝固过程中，晶核越多，晶核的生长速度越慢，则凝固后的晶体晶粒（）A、不均匀；B、越细小；C、越粗大；D、越均匀
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考题 分子筛是利用吸附选择性，吸附其中杂质而让非杂质通过。
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考题 结晶过程包括晶核的形成和晶体的成长两个阶段。
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考题 在晶体中，通常以通过原子中心的假想直线把它们在空间的几何排列形式描绘出来，这样形成的三维空间格架叫做（）。A、晶胞B、晶格C、晶体D、晶核
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考题 结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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考题 在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
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考题 结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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考题 临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成（）。A、越容易B、需要更低的能量C、越困难D、不受影响
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考题 晶体结晶时，下列哪个选项是不正确的？（）A、晶核长大B、晶核产生C、保持恒温D、晶核裂变
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考题 再结晶和重结晶都有晶核形成和晶核长大两个过程，它们的主要区别在于是否有（）的改变。A、温度B、晶体结构C、应力状态D、以上答案都对
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考题 单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A 晶体生长速度大大超过晶核生成速度B 晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C 晶体生长速度等于晶核生成速度D 以上都不对
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考题 单选题临界晶核是能够稳定存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成（）。A 越容易B 需要更低的能量C 越困难D 不受影响
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考题 单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A 不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B 只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C 不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D 不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 单选题对于迅速蒸发硫铵母液中的水分的结晶过程，与实际情况相符合的是（）。A 有利于晶体的均匀生长，可得到大颗粒的产品B 有利于大量晶核的形成，可得到大颗粒的产品C 有利于晶体的均匀生长，可得到小颗粒的产品D 有利于大量晶核的形成，可得到小颗粒的产品
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考题 单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A 晶体生长速度大大超过晶核生成速度B 晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C 晶体生长速度等于晶核生成速度D 以上都不对
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考题 填空题结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。
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考题 单选题在晶体中，通常以通过原子中心的假想直线把它们在空间的几何排列形式描绘出来，这样形成的三维空间格架叫做（）。A 晶胞B 晶格C 晶体D 晶核
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考题 判断题分子筛是利用吸附选择性，吸附其中杂质而让非杂质通过。A 对B 错
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考题 判断题晶核形成的速度大于晶体成长的速度时，产品中晶体颗粒大而少。A 对B 错
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考题 单选题晶体结晶时，下列哪个选项是不正确的？（）A 晶核长大B 晶核产生C 保持恒温D 晶核裂变
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