考题
随着工作频率的升高，晶体管的放大能力()。A.要上升B.要下降C.不改变D.无规律变化
考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
考题
当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuB()uBuE
A、大于，大于B、大于，小于C、小于，小于D、小于，大于
考题
当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。()
此题为判断题(对，错)。
考题
放大电路的静态工作点与所选用的晶体管的特性曲线有关,与放大电路的结构无关。()
考题
晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
考题
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（ ）。
考题
晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）A、β=β0时的工作频率B、β=0.707β0时的工作频率C、β=2β0时的工作频率D、β=1时的工作频率
考题
晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为（）A、均为同相B、均为反相C、前者为同相，后者为反相D、前者为反相，后者为同相
考题
万用表可以测量以下哪个电路值（）。A、晶体管放大参数B、电气设备绝缘电阻C、信号频率D、图像波形
考题
晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
考题
晶体管三极管作开关用时，工作于（）。A、放大区B、饱和区C、饱和区和截止区D、截止区
考题
当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
考题
在宽频带放大器中，为提高晶体管的高频端截止频率，常采用共（）放大电路。
考题
当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
考题
晶体管的电流放大系数β是指（）A、工作在饱和区时的电流放大系数B、工作在放大区时的电流放大系数C、工作在截止区时的电流放大系数
考题
场效应管与晶体管相比较，其输入电阻；Nf（）；温度稳定性（）；饱和压降（）；放大能力（）；频率特性（）；输出功率（）。
考题
通常振荡器在正常工作时，晶体管工作于（）状态。A、放大；B、截止；C、放大和截止两种；D、饱和。
考题
随着工作频率的升高，晶体管的放大能力（）。 A、要上升B、要下降C、不改变D、无规律变化
考题
影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
考题
填空题晶体管的一个重要高频参数是它的（）频率fT，它是晶体管的下降为时的工作频率。晶体管的结电容越小，其fT参数越大。
考题
单选题晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）A
β=β0时的工作频率B
β=0.707β0时的工作频率C
β=2β0时的工作频率D
β=1时的工作频率
考题
单选题晶体管作放大时，其β值与工作频率ƒ的关系为（）A
β为常数，与ƒ无关B
β一直随ƒ上升而上升C
β一直随ƒ上升而下降D
在低频时，β值基本不变，在高频时β值随ƒ上升而下降
考题
单选题随着工作频率的升高，晶体管的放大能力（）。A
要上升B
要下降C
不改变D
无规律变化
考题
单选题当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A
截止区B
放大区C
饱和区
考题
单选题晶体管作放大时，其β值与工作电流IC的关系为（）A
β为常数，与IC大小无关B
β值随IC上升而上升C
β值随IC上升而下降D
在IC较小时，β值随IC上升而上升，在IC较大时β值随IC上升而下降
