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晶体管的工作状态有 ()

A、截止状态

B、放大状态

C、饱和状态

参考答案

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考题 模拟电路中晶体管大多工作于()。 A、开关状态B、放大状态C、击穿状态
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考题 对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态 B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区 C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示 D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。
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考题 晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β= 50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。
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考题 8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
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考题 当晶体管的发射结和集电结都正偏时，晶体管工作在截止状态。
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考题 如果将晶体管的基极和发射极短路（即UB=UE），则（）。A．晶体管工作在放大状态B．晶体管工作在截止状态C．晶体管工作在饱和状态D．晶体管损坏
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考题 8、晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。
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考题 晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。
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