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电解液中的电荷载流子是（）.

  • A、离子
  • B、电子
  • C、中子
  • D、质子

参考答案

更多 “电解液中的电荷载流子是（）.A、离子B、电子C、中子D、质子” 相关考题
考题 CCD摄像器件的信息是靠()存储。 A、载流子B、电荷C、电子D、声子
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考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题 8)在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。（ ）
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考题 电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率 B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度 C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率 D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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考题 天然气中总硫含量测定方法是一种电量分析方法，测定结果与下列项中有关的是（）。A、滴定池中电解液的体积B、测定中消耗的电荷量C、库伦滴定池中电解液中的I3–的浓度D、滴定池电解电流的大小
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考题 N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 载流子—电荷的自由粒子；金属：（）；无机材料：离子（正负离子、空位）、电子（负电子、空穴）
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考题 在N型半导体中，（）是多数载流子。A、负电荷B、空穴C、正电荷D、自由电子
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考题 PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 由于空间电荷区内没有载流子，所以又称为耗尽层。
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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考题 电在液体中传导时，其电荷载流子是（）A、原子B、分子C、离子D、电子
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考题 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
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考题 单选题N型半导体的多数载流子是（）。A 电流B 自由电子C 电荷D 空穴
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考题 填空题在导电介质中（如导体、电解液等）中，电荷的运动形成的电流成为（）。
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考题 单选题CCD的基本功能是信号（）的产生、存储、传输和检测A 载流子B 电子C 电荷D 声子
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考题 单选题在P型半导体中，（）是多数载流子。A 空穴B 负电荷C 正电荷D 自由电子
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考题 单选题CCD摄像器件的信息是靠（）存储A 载流子B 电荷C 电子D 声子
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考题 单选题CCD 摄像器件的信息是靠（）的产生、存储、传输和检测来实现的。A 载流子；B 电荷；C 电子；D 声子。
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