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目前采用特殊的生产工艺几乎可以完全消除光纤内部的氢氧根离子,从而可以制成一个无水峰光纤,称为()。

  • A、无水光纤
  • B、无损耗光纤
  • C、全波光纤
  • D、宽带光纤

参考答案

更多 “目前采用特殊的生产工艺几乎可以完全消除光纤内部的氢氧根离子,从而可以制成一个无水峰光纤,称为()。A、无水光纤B、无损耗光纤C、全波光纤D、宽带光纤” 相关考题
考题 酸碱滴定可以直接测定()。 A.氢离子B.氢氧根离子C.硫氰酸离子D.硫酸根离子

考题 比色测定时,对微量矿物质元素分离、提取不常用的办法是()。A.加掩蔽剂,改变干扰离子的络合稳定常数,从而降低了溶液中游离子干扰离子的浓度B.调节溶液的PH值,使干扰离子不被络合,从而消除干扰。C.采用萃取法将干扰离子分离掉D.采用氧化还原滴定法将干扰离子分离掉

考题 目前的骨干网络大多为光纤传输,部分城市实现了光纤到户,为此是否可以完全用光纤取代所有其他类型的网络?试分析。

考题 化学除盐是用氢离子型树脂将水中的()地交换成氢离子,用氢氧根树脂将水中的()地交换成氢氧根。

考题 化学除盐是用氢离子型树脂将水中的()当量交换成(),用氢氧根树脂将水中的()当量交换成(),氢离子和氢氧根结合成水,所以当水经过两种交换处理后,我们将水中的各类()几乎除尽制出除盐水。

考题 中和反应的实质是酸中的()跟碱中的氢氧根离子结合生成水的反应。A、氢离子B、氧离子C、氢氧根离子

考题 在酸碱滴定中如酸碱完全中和,则它们的()相等。A、质量B、物质的量C、所提供的氢离子和氢氧根离子的物质的量

考题 电解质电离时()的化合物叫做碱。A、所生成的阳离子全部是氢离子B、所生成的阳离子含有氢离子C、所生成的阴离子全部是氢氧根离子D、所生成的阴离子含有氢氧根离子

考题 弱碱性树脂电离氢氧根离子能力较弱,强碱性树脂电离氢氧根离子能力较强。

考题 酸碱滴定可以直接测定()。A、氢离子B、氢氧根离子C、硫氰酸离子D、硫酸根离子

考题 氢氧根离子()粘土颗粒的分散作用。A、可以促进B、可以阻止C、不能促进D、不影响

考题 烧碱在水中电离为()离子和氢氧根离子。

考题 比色测定时,对微量矿物质元素分离、提取不常用的办法是()。A、加掩蔽剂,改变干扰离子的络合稳定常数,从而降低了溶液中游离子干扰离子的浓度B、调节溶液的PH值,使干扰离子不被络合,从而消除干扰。C、采用萃取法将干扰离子分离掉D、采用氧化还原滴定法将干扰离子分离掉

考题 电解质电离时()的化合物叫做碱。A、所生成的阳离子含有氢离子B、所生成的阴离子全部是氢氧根离子C、所生成的阴离子含有氢氧根离子

考题 水的离子积常数是在一定的温度下()。A、氢离子与氢氧根的乘积B、[氢离子]与[氢氧根]的乘积C、[氢离子]与[氢氧根]的乘积与[水]之比D、氢离子与氢氧根的乘积与水之比

考题 ()是制造光纤的材料本身造成的,其中的过量金属杂质和氢氧根OH离子对光的吸收而产生的损耗。

考题 下列属于光纤材料固有吸收的为()。A、过渡金属正离子吸收B、氢氧根负离子吸收C、紫外区吸收D、近红外区吸收

考题 造成光纤中0.95um/1.24um/1.39um处出现损耗高峰的是()A、硅B、氢氧根离子C、锗D、铒

考题 光纤材料中含重金属离子和氢氧根离子等杂质,对光信号的吸收而产生的损耗称为瑞利散射。

考题 EDFA目前采用最广泛的是掺铒放大器,它是在石英光纤的芯层之中掺入一些(),即形成了一种特殊光纤,这种光纤在泵浦光的激励下可放大光信号,故称之为光纤放大器。A、二价铒离子B、三价铒离子C、二价镨离子D、三价镨离子

考题 在光纤材料中的杂质如氢氧根离子(OH-)、过渡金属离子(铜、铁、铬等)对光的吸收能力极强,它们是产生光纤损耗的主要因素。

考题 简述氢氧根对长波长光纤的波分复用有何影响?

考题 光纤中氢氧根离子造成的损耗属于()。A、本征吸收B、红外吸收C、杂质散射D、杂质吸收

考题 由于光纤中氢氧根离子浓度而导致光纤损耗曲线中出现峰值,这属于()。A、吸收损耗B、散射损耗C、瑞利损耗D、离子损耗

考题 单选题水的离子积常数是在一定的温度下()。A 氢离子与氢氧根的乘积B [氢离子]与[氢氧根]的乘积C [氢离子]与[氢氧根]的乘积与[水]之比D 氢离子与氢氧根的乘积与水之比

考题 单选题电解质电离时()的化合物叫做碱。A 所生成的阳离子含有氢离子B 所生成的阴离子全部是氢氧根离子C 所生成的阴离子含有氢氧根离子

考题 填空题()是制造光纤的材料本身造成的,其中的过量金属杂质和氢氧根OH离子对光的吸收而产生的损耗。