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晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。


参考答案

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考题 晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个

考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

考题 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区

考题 对NPN三极管来说,下列说法正确的是()。A、当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区;B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了;C、外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差;D、以上说法都错。

考题 晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。

考题 晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.

考题 晶体管热噪声主要存在于()电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

考题 下列关于晶体三极管说法证确的是()。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

考题 叙述晶体三极管电流的传输过程()。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子,在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程

考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

考题 晶体三极管从结构上划分,有如下:()。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区

考题 晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾,使扩散运动大大超过复合。

考题 三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。

考题 三极管有()型和()型两种结构,三极管中集电区与基区之间的PN结称为()结,基区与发射区之间的PN结成为()结。

考题 晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。

考题 三极管最薄的区是()。A、发射区B、集电区C、基区

考题 半导体三极管工作过程中()。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。

考题 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。

考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。

考题 填空题晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。

考题 填空题晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.

考题 填空题当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。