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用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况。
- A、一次绕组对二次绕组及地；
- B、处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间；
- C、铁芯支架；
- D、处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
参考答案
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考题
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
考题
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
考题
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架
考题
单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A
一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B
处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C
处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D
上下铁芯支架
考题
单选题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况A
一次绕组对二次绕组及地B
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间C
铁芯支架D
处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间
考题
判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。A
对B
错
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