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由金属触头()发射的电子,叫表面发射。


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考题 关于气体的表面发射电离形式,下列说法正确的是()。 A.发生于金属电极表面B. 发生在触头间隙内C. 热电离是其一种形式D. 光发射是其一种形式

考题 电弧游离方式的热电发射是触头分断电流时,阴极表面由于大电流逐渐收缩集中,而出现炽热的光斑,温度很高,触头表面分子外层电子吸收足够的热能,发射到触头间隙,形成自由电子。A对B错

考题 电弧游离方式的高电场发射是触头分断初,电场强度很大,触头表面的电子可被强拉出去,进入触头间隙,形成自由电子。A对B错

考题 在强电场作用下,自由电子脱离阴极表面成为自由电子的现象叫强电场发射。

考题 断路器中,熔点高,导热系数和热容量大得耐高温金属作触头材料,可以减少热电子发射和电弧中的金属蒸汽,抑制()作用。

考题 当正离子在电场力的作用下,高速撞击阴极,或自由电子高速撞击阳极,可使金属表面发射电子,这个过程称()发射。

考题 阴极的金属表面连续地向外发射出电子的现象,称为()。

考题 断路器采用热容量大、热传导力强、耐高温、不易发射电子、不因熔化而产生金属蒸气的金属材料制做触头。

考题 在触头刚刚分开发生热发射的同时,由于触头间的距离很小,线路电压在这很小的间隙内形成很高的电场,此电场将电子从阴极表面拉出,形成高电场发射。在高电场发射中,并不需要热功的参与,所以高点场发射也称为().

考题 当()、可见光、红外线照射到金属表面上时,会使金属表面的电子获得能量,脱离金属,变成光电子,存在光电发射现象。

考题 当金属温度升高到()K,金属表面的自由电子具有足够的动能,会克服金属的束缚,而离开金属表面。这种过程称为热发射。

考题 影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。

考题 由金属触头表面发射的电子,叫表面发射,其中的强场发射()。A、在断路器触头刚开始分开时,强场发射最明显B、在断路器触头分开一定的距离之后,强场发射最明显C、在断路器触头分开到最大距离时,强场发射最明显D、强弱与断路器触头分开的距离无关

考题 由金属触头表面发射的电子,叫表面发射,其中的热发射()。A、在断路器触头分离的初期,热发射较强烈B、在断路器触头分离的中期,热发射较强烈C、在断路器触头分离的后期,热发射较强烈D、在断路器触头分离的整个过程中,热发射均较强烈

考题 电弧游离方式的热电发射是触头分断电流时,阴极表面由于大电流逐渐收缩集中,而出现炽热的光斑,温度很高,触头表面分子外层电子吸收足够的热能,发射到触头间隙,形成自由电子。

考题 电弧游离方式的高电场发射是触头分断初,电场强度很大,触头表面的电子可被强拉出去,进入触头间隙,形成自由电子。

考题 填空题当()、可见光、红外线照射到金属表面上时,会使金属表面的电子获得能量,脱离金属,变成光电子,存在光电发射现象。

考题 填空题当()照射到金属表面上时,会使金属表面的电子获得能量,脱离金属,变成光电子,存在光电发射现象。

考题 填空题由金属触头()发射的电子,叫表面发射。

考题 填空题在触头刚刚分开发生热发射的同时,由于触头间的距离很小,线路电压在这很小的间隙内形成很高的电场,此电场将电子从阴极表面拉出,形成高电场发射。在高电场发射中,并不需要热功的参与,所以高点场发射也称为().

考题 填空题触头开断过程中,接触面积越来越小,接触处电阻越来越大,触头表面的温度急剧升高,金属内由于热运动急剧活跃的自由电子克服金属内正离子的吸引力而从阴极表面发射出来,这种主要是由于热作用所引起的发射也称为()

考题 判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。A 对B 错

考题 填空题当正离子在电场力的作用下,高速撞击阴极,或自由电子高速撞击阳极,可使金属表面发射电子,这个过程称()发射。

考题 填空题当金属温度升高到()K,金属表面的自由电子具有足够的动能,会克服金属的束缚,而离开金属表面。这种过程称为热发射。

考题 单选题对于光电发射效应,下列说法不正确的是()A 光电发射效应,又称外光电效应B 金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C 半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA)D 良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高

考题 判断题当光辐射照在某些材料的表面上时,若入射光的光子能量足够大,就能使材料的电子逸出表面,向外发射出电子,这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。A 对B 错

考题 单选题由金属触头表面发射的电子,叫表面发射,其中的热发射()。A 在断路器触头分离的初期,热发射较强烈B 在断路器触头分离的中期,热发射较强烈C 在断路器触头分离的后期,热发射较强烈D 在断路器触头分离的整个过程中,热发射均较强烈