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就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低(基极电流IB过小)时,输出波形易发生()失真。


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考题 在NPN三极管构成的共发射极交流放大电路中,若静态工作点Q位置选得过高,易产生______失真,反之,Q点位置选得过低,易产生______失真。

考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集电结反偏B.正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容耦合只输出交流信号

考题 当品体管接成共发射极电路,在静态时( )的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流Ib B.集电极电流Ic与发射极电流Ie C.发射极电流Ie与基极电流Ib D.基极电流Ib与集电极电流Ic

考题 共发射极放大电路的静态工作点设置得过低,易出现饱和失真。

考题 固定偏置单管电压放大电路,改变基极电阻RB阻值的作用是()A、改变电压放大倍数B、改变电流放大倍数C、稳定静态工作点D、改变静态值,改善放大器的非线性失真

考题 共发射极放大电路的静态工作点设置过低,易出现饱和失真。

考题 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多

考题 根据功率放大电路中晶体管()在交流负载线上的位置不同,功率放大电路可分为3种。A、静态工作点B、基极电流C、集电极电压D、集电极电流

考题 用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极电压。

考题 根据放大电路中晶体三极管()在交流负载线上的位置不同,功率放大电路可分为三种。A、静态工作点B、基极电流C、集电极电压D、集电极电流

考题 在晶体管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太高,将会产生饱和失真。

考题 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路

考题 由晶体三极管组成的共发射极、共集电极、共基极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多

考题 放大电路中设置静态工作点的目的是()。A、使晶体管的基极电流提高B、使晶体管的集电极电流提高C、为了避开死区D、使晶体管基本上工作在特性曲线的直线段

考题 就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过高(基极电流IB过大)时,输出波形易发生()失真。

考题 单管放大电路的静态工作点过高时,在电源和负载电阻RC不变情况下,可增加基极电阻RB,使基极电流减小。()

考题 要消除基本共发射极放大电路产生的饱和失真,应将静态工作电流()。

考题 晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

考题 在共发射极基本放大电路中,为稳定静态工作点,一般在发射极处和基极各增加一电阻。

考题 共发射极放大电路中三极管的集电极静态电流的大小与()无关。A、集电极电阻B、基极电阻C、三极管的βD、电源电压

考题 用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。

考题 在共发射极晶体管的放大电路中,当加有输入信号(动态)时,集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

考题 在共发射极晶体管的放大电路中,当无输入信号(静态)时,集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

考题 三极管共发射极接法电路,集电极电流的变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值称为三极管共发射极接法()。A、电流系数B、电流放大系数C、电流常数D、电压系数

考题 填空题晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

考题 单选题固定偏置单管电压放大电路,改变基极电阻RB阻值的作用是()A 改变电压放大倍数B 改变电流放大倍数C 稳定静态工作点D 改变静态值,改善放大器的非线性失真

考题 单选题对于单管共射极基本放大电路,若静态工作点不合适,比较方便的做法是()。A 负载大小B 基极注入电流大小C 电流放大系数的大小D 电压放大倍数的大小