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填空题
晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

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考题 晶体管发射极电流IE、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是()。ΔIC/ΔIB叫做(),用字母()表示。

考题 当品体管接成共发射极电路,在静态时( )的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流Ib B.集电极电流Ic与发射极电流Ie C.发射极电流Ie与基极电流Ib D.基极电流Ib与集电极电流Ic

考题 晶体三极管共发射极的电流放大倍数β为()。A、Ie/IbB、IC/IbC、△Ie/△IbD、△IC/△Ib

考题 已知发射极电流Ie=4.68mA,基极电流Ib=0.06mA,求集电极电流Ic。

考题 晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为()。A、IB=0B、IB0C、IB0

考题 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多

考题 工作在放大状态的三极管,其极电流Ib,集电极电流Ic,发射极电流Ie的关系是()。A、Ic=Ie+IbB、Ib=Ie+IcC、Ib=Ic-IeD、Ie=Ib+Ic

考题 晶体管静态放大倍数β表示(),其中用IC表示集电极直流电流,IB表示基极直流电流。A、Ib/ICB、IC/IbC、IC*IbD、I/(IC*Ib)

考题 共发射极电流放大倍数为()。A、集电极电流与基极电流之比B、发射极电流与基极电流之比C、集电极电流与发射极电流之比D、基极电流与集电极电流之比

考题 晶体三极管共发射极电路,放大倍数为50,集电极电流为100mA,基极电流为()A、2mAB、4mAC、5mAD、50mA

考题 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路

考题 已知晶体三极管的发射极电流Ie=3.24mA,基极电流Ib=40μA,求:集电极Ic?

考题 就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低(基极电流IB过小)时,输出波形易发生()失真。

考题 晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。

考题 已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA,则其微变等效输入内阻为()。A、300ΩB、326ΩC、853ΩD、不能确定

考题 晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。

考题 晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

考题 在放大电路中,直流负反馈不能()A、提高晶体管电流放大系数的稳定性B、提高放大电路的放大倍数C、稳定电路的静态工作点D、提高晶体管电压放大倍数的稳定性

考题 晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie等于()。

考题 根据PNP型晶体三极管的电流分配原理,当处于放大状态时,其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是()。A、IC=IE+IBB、IB=IC+IEC、IE=IC+IBD、IB=IC+IE

考题 在共发射极晶体管的放大电路中,当加有输入信号(动态)时,集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

考题 在共发射极晶体管的放大电路中,当无输入信号(静态)时,集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

考题 三极管工作在放大状态时,基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是()。A、Ie=Ib+Ic;B、Ic=Ie+Ib;C、Ib=Ie+Ie;D、Ib=Ic-Ic。

考题 三极管工作在放大状态时,基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是()。A、Ie=Ib+IcB、Ic=Ie+IbC、Ib=Ie+IcD、Ib=Ic-Ie

考题 三极管电流放大作用的规律是()。A、发射极电流等于基极电流和集电极电流之和,即Ie=Ib+IcB、基极电流很小,集电极和发射极电流接近相等C、基极电流的微小变化,可以引起集电极电流的较大变化D、以上都对

考题 填空题晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie等于()。

考题 判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A 对B 错