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由NPN管组成的共射放大电路,若测得VCEQ=VCC,VCC为电源电压,则可判断该三极管处于()

  • A、放大状态
  • B、饱和状态
  • C、截止状态
  • D、击穿状态

参考答案

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考题 三极管组成的放大电路主要有:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。()

考题 在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V,1.2V,1V,则该管为:()。A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管

考题 由NPN型管构成的基本共射放大电路,若静态工作点偏低(即IBQ小,ICQ小),将容易产生()失真。

考题 在放大电路中,若测得某三极管的三个极电位分别为-2.5V、-3.2V、-9V,这三极管的类型是()。A、PNP型Ge管B、PNP型Si管C、NPN型Ge管NPN型Si管D、以上说法都不对

考题 在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V,则这只三极管为()。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

考题 NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太低,输出电压的波形会出现()?

考题 NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太高,输出电压的波形会出现()失真。

考题 在NPN晶体三极管组成的共射极放大电路中,如果测得UCE小于或等于UBE,该三极管处于()状态。A、截止B、放大C、饱和D、无法确定

考题 在NPN型三极管组成的共射基本放大电路中,若出现饱和失真,应采取()。A、增大RBB、减小RBC、增大RCD、减小RC

考题 称为射极跟随器是由()组成。A、共集放大电路B、共射放大电路C、共基放大电路D、共源极放大电路

考题 在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V,则该管为()A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管

考题 由NPN管构成的的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了()失真。A、截止B、饱和C、放大

考题 在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ(),ICQ(),UCEQ()。

考题 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

考题 在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入电压为1kHz,100mV的正弦波时,输出电压波形出现了顶部失真,这种失真是()

考题 为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生()失真,应调RB,使其(),则IB(),这样可克服失真。

考题 在放大电路中,测得某个NPN管的UE=2V,UCE=6V,UBC=-5.3V,则该管是处于什么状态()A、截止B、放大C、饱和D、无法确定

考题 由NPN管构成的的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部削波失真,这是由于静态工作点电流IC()造成。A、过大B、过小C、不能确定

考题 由NPN型管组成的共射放大电路,输入ui为正弦波,由于静态工作点过高,使输出u0波形产生了()A、线性失真B、交越失真C、截止失真D、饱和失真

考题 由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是()A、饱和失真B、截止失真C、频率失真

考题 共射基本放大电路中,若测得VCEQ=VCC,则可以判断三极管处在()A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态

考题 若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V,5.3V和10V,则该管一定是()A、硅材料NPN管B、硅材料PNP管C、锗材料NPN管D、锗材料PNP管

考题 在放大电路中,若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V,这三极管的类型是()。A、 PNP型Ge管B、 PNP型Si管C、 NPN型Ge管D、 NPN型Si管

考题 发射跟随器是由()组成的。A、共集放大电路B、共射放大电路C、共基放大电路D、共源极放大电路

考题 填空题由NPN型管构成的基本共射放大电路,若静态工作点偏低(即IBQ小,ICQ小),将容易产生()失真。

考题 填空题NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太高,输出电压的波形会出现()失真。

考题 填空题NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太低,输出电压的波形会出现()?