网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。

参考答案

更多 “半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。” 相关考题
考题 半导体材料的电阻变化主要来自尺寸效应。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化
查看答案
考题 压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
查看答案
考题 钢、铸铁、有色金属等在外力的作用下（）。A、物体的材料发生变形，几何尺寸不变B、物体材料不变形，几何尺寸不变C、物体的几何尺寸发生变化，材料发生变形D、物体的几何尺寸不变，材料不变
查看答案
考题 一种电阻值随其阻体温度的变化呈显著变化的正温度系数的热敏感半导体电阻器
查看答案
考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料（单晶硅）的（）原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化
查看答案
考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
查看答案
考题 压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小
查看答案
考题 在外力作用下，金属应变式传感器主要产生几何尺寸变化，而压阻式传感器主要是（）发生变化，两者都引起电阻值发生变化。
查看答案
考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时，引起电阻的相对变化主要由（）。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积
查看答案
考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应
查看答案
考题 压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为（）效应。A、压电B、压阻C、压磁D、逆压电
查看答案
考题 金属材料的应变效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
查看答案
考题 固态压敏电阻在某一方向上承受应力时，它的电阻值发生显著变化，这是由哪些方面因素发生显著变化引起的（）。A、电阻率B、几何尺寸C、晶面上电荷D、极化电荷
查看答案
考题 关于电阻应变片，下列说法中正确的是（）A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化
查看答案
考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为（）。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应
查看答案
考题 压电材料按一定方向置放在交变电场中，其几何尺寸随之发生变化，称为（）效应。A、压电B、压阻C、逆压电D、压磁
查看答案
考题 金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化，其主要原因是（）A、压阻效应B、压磁效应C、压电效应D、电阻丝的几何尺寸变化
查看答案
考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
查看答案
考题 金属电阻受应力后，其电阻值的变化主要是由（）的变化引起的；半导体电阻受应力后，电阻的变化主要是由（）发生变化引起的。
查看答案
考题 单选题压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为（）效应。A 压电B 压阻C 压磁D 逆压电
查看答案
考题 单选题金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化，其主要原因是（）A 压阻效应B 压磁效应C 压电效应D 电阻丝的几何尺寸变化
查看答案
考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
查看答案
考题 判断题压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小A 对B 错
查看答案
考题 填空题压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时，其（）发生变化。
查看答案
考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
查看答案
热门标签
最新试卷