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金属电阻受应力后，其电阻值的变化主要是由（）的变化引起的；半导体电阻受应力后，电阻的变化主要是由（）发生变化引起的。
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考题
金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A、金属应变片主要利用压阻效应B、金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C、半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D、半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
考题
电阻器的温度系数是指（）。A、温度变化时，流过电阻器电流的相对变化B、温度每变化1度所引起电阻两端电压的相对变化C、温度每变化1度所引起电阻值的相对变化D、电阻值每增加一个数量级能够提高耐温的程度
考题
电阻应变片式传感器按制造材料可分为①（）材料和②（）材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中①的电阻变化主要是由（）形成的，而②的电阻变化主要是由（）造成的。（）材料传感器的灵敏度较大。
考题
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致，且试件轴线上受一维应力作用时，应变片灵敏系数K的定义是（）。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比
考题
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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