网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

  • A、突触前轴突末梢超极化
  • B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
  • C、突触后膜去极化
  • D、突触后膜电位负值增大，出现超极化
  • E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大

参考答案

更多 “关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大” 相关考题
考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?
查看答案
考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
查看答案
考题 膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
查看答案
考题 可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．H+
查看答案
考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
查看答案
考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
查看答案
考题 可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+
查看答案
考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
查看答案
考题 关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化 B.Ca由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
查看答案
考题 A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
查看答案
考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。 A. B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是
查看答案
考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
查看答案
考题 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
查看答案
考题 试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
查看答案
考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化
查看答案
考题 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
查看答案
考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A 突触前轴突末梢超极化B 突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C 突触后膜去极化D 突触后膜电位负值增大，出现超极化E 突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
查看答案
考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A 突触前轴突末梢超极化B 对Ca2+、K+通透性增大C 突触后膜出现超极化D 突触后膜去极化E 突触后膜出现复极化
查看答案
考题 单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。A 棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B 棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C 棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D 棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E 棘波、慢波是由突触前电位构成
查看答案
考题 单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）A K+B H+C Ca2+D Cl-E Na+
查看答案
考题 问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
查看答案
热门标签
最新试卷