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问答题
描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
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考题
通常情况下，在小区重选准则C2的算法中，有一个参数TEMPORARY OFFSET。其对C2值的影响是（）。A、给C2值加一个正的临时偏置B、给C2值加一个负的临时偏置C、不影响C2的值D、给C2值加一个固定偏置
考题
要使晶体三极管对电流起放大作用，则必须使（）。A、发射结正向偏置，而集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结也正向偏置C、发射结反向偏置，而集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结也反向偏置
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
问答题描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
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