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判断题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 探头型号第二位表示() A、基本频率B、晶片材料C、晶片尺寸D、探头种类E、探头特征

考题 探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是

考题 同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

考题 超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系()。A、 近场区长度与波源面积及波长成正比B、 近场区长度与波源面积及波长成反比C、 近场区长度与波源面积成正比,与波长成反比D、 近场区长度与频率成正比,与波源面积成反比

考题 同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

考题 横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

考题 超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

考题 探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。

考题 超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大

考题 探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。

考题 探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

考题 斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

考题 说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

考题 探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。

考题 判断题探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。A 对B 错

考题 问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

考题 判断题同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A 对B 错

考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A  增大B  不变C  减小D  都有可能

考题 单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()A K值增大时,近场区长度不变B K值增大时,近场区长度增大C K值增大时,近场区长度减小D K值与近场区长度无关

考题 判断题横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。A 对B 错

考题 判断题斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A 对B 错

考题 填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

考题 单选题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。A 增加B 减小C 不变