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单选题
在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()
A

四面体配位

B

八面体配位

C

平面三角形配位

D

立方体配位


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 下列离子化合物中,阳离子和阴离子半径比值最大的是 (  )

考题 在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

考题 离子半径越大,正负离子间的引力()。A、越大B、越小C、不变D、无关

考题 在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。

考题 在同价离子中,离子半径和水化半径越小,交换能力越弱

考题 在同价离子中,离子半径和水化半径越小,交换能力越强

考题 在同一周期中主族元素随着族数的递增,正离子的电荷数增大,离子半径(),例如()

考题 在同价离子中,离子半径越小,则电动电势ξ()。A、越大B、越小C、不确定D、不变

考题 硅酸盐晶体的分类原则是()。A、正负离子的个数B、结构中的硅氧比C、化学组成D、离子半径

考题 MgO,CaO,SrO,BaO四种氧化物均为NaCl型晶体,在它们的晶体中正离子半径的大小顺序为(),由此可得出晶格能的大小顺序为(),熔点高低顺序为()。

考题 离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

考题 下列叙述中,哪一个是正确的陈述?()A、金属的离子半径和它的原子半径相同B、金属的离子半径大于它的原子半径C、非金属离子半径与其原子半径相等D、非金属的原子半径大于其离子半径E、金属离子半径小于其原子半径

考题 氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

考题 在下列各种晶体中离子半径最小的是()A、K+B、Ca2+C、Ba2+D、Ti4+E、Ti3+

考题 仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。

考题 在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

考题 单选题下列化合物中阴离子半径和阳离子半径之比最大的是(  ).A LiIB NaBrC KClD CsF

考题 填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

考题 单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A 氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B 氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C 氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D 氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 单选题当配位多面体为四面体时,正负离子半径比为:()A 0-0.155B 0.155-0.225C 0.225-0.414D 0.732-1

考题 单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()A 简单立方配位B 面心立方配位C 简单立方或面心立方配位

考题 单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()A 四面体配位B 八面体配位C 平面三角形配位D 立方体配位

考题 单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀

考题 单选题硅酸盐晶体的分类原则是()。A 正负离子的个数B 结构中的硅氧比C 化学组成D 离子半径

考题 单选题当配位多面体为八面体时,正负离子半径比为()。A 0.732-1B 0.414-0.732C 0.225-0.414D 0.155-0.225