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在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子，离子之间以离子键结合。
参考答案
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考题
下列关于晶格能的说法正确的是()
A、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成1mol离子晶体所释放的能量B、晶格能是标准态下由单质化合成1mol离子化合物时所释放的能量C、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成离子晶体所释放的能量D、晶格能就是组成离子晶体时，离子键的键能
考题
下列各种说法中哪个不正确？（）A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多，核间距越大，晶格能越大D、离子晶体中，晶格能越大通常熔点越高，硬度越大
考题
在炉渣离子理论中，下列描述正确的（）。A、液态炉渣是由各种不同正负离子所组成的离子溶液B、在炉渣中硅酸根离子和金属之间是离子键C、在离子理论中，半径最小、电荷最多的Si4+与O2结合力最大，形成硅氧复合负离子SiO44-D、离子理论认为，炉渣粘度取决于构成炉渣的硅氧离子的复杂程度，连接形成的负离子群体越庞大越复杂，炉渣粘度也越小
考题
晶体膜电极的选择性取决于（）A、被测离子与共存离子的迁移速度；B、被测离子与共存离子的电荷数；C、共存离子在电极上参与响应的敏感程度；D、共存离子与晶体膜中的晶格离子形成微溶性盐的溶解度或络合物的稳定性。
考题
氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
考题
单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A
氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B
氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C
氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D
氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
考题
单选题下列各种说法中哪个不正确？（）A
离子晶体在熔融时能导电B
离子晶体的水溶液能导电C
离子晶体中离子的电荷数越多，核间距越大，晶格能越大D
离子晶体中，晶格能越大通常熔点越高，硬度越大
考题
单选题下列说法不正确的是（）。A
离子晶体在熔融时能导电B
离子晶体的水溶液能导电C
离子晶体中，晶格能越大通常熔点越高，硬度越大D
离子晶体中离子的电荷数越多，核间距越大，晶格能越大
考题
单选题晶体膜电极的选择性取决于（）A
被测离子与共存离子的迁移速度；B
被测离子与共存离子的电荷数；C
共存离子在电极上参与响应的敏感程度；D
共存离子与晶体膜中的晶格离子形成微溶性盐的溶解度或络合物的稳定性。
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