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填空题
硅光电二极管通常在()偏置条件下工作;

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考题 关于非晶硅探测器的工作原理,下列正确的是()。A.X线光子→闪烁晶体→可见光→非晶硅光电二极管阵列→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像B.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像C.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→可见光→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像D.X线光子→可见光→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像E.X线光子→电信号→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

考题 采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。() A.正确B.错误

考题 采用雪崩光电二极管的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。()

考题 光电检测器是在()偏置条件下工作的。A正向B反向C正反向D无

考题 光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加()偏置电压。

考题 采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。

考题 发光二极管工作在()偏置条件下;导通电压的范围为()V。光电二极管工作在()偏置条件下; 变容二极管工作在()偏置条件下。

考题 光电二极管能将()信号转变为()信号,它工作时需加反向偏置电压。

考题 光电二极管加()电压能产生电流,发光二极管()电压下工作。A、反向偏置,正向偏置B、正向偏置,反向偏置C、正向偏置,正向偏置D、反向偏置,反向偏置

考题 单选题硅稳压管稳压电路工作时,稳压管工作状态应为()。A 正向导电B 反向偏置C 反向电击穿D 反向热击穿

考题 填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是()。

考题 单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低;B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作;D 它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。

考题 判断题采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。A 对B 错

考题 问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线,说明它们的差异。

考题 单选题硅光电二极管与硅光电池比较,后者()。A 掺杂浓度低B 电阻率低C 反偏工作D 光敏面积小

考题 判断题光电二极管用于探测光信号时,一般工作在反向偏置电压下。A 对B 错

考题 单选题硅光电池在()情况下有最大的电流输出。A 开路B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题减小光电二极管时间常数的基本方法是:()A 减小光电二极管的接受光的区域的面积;B 减小光电二极管的P—N结的厚度;C 减小后级电路的负载电阻的阻值;D 给光电二极管加较大的反向偏置电压。

考题 单选题硅光电池在()情况下有最大的输出功率。A 开路B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

考题 问答题影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz?怎样提高硅光电二极管的频率响应?

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D 它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级

考题 单选题PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于()A 1GHzB 100MHzC 10MHzD 1MHz

考题 单选题硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是()A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 判断题光电二极管用于探测光信号时,可以工作在正向偏置电压下。A 对B 错

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置