考题
PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
考题
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
考题
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
下列不属于影响光电二极管响应时间的因素是()A.零场区光生载流子的扩散时间B.有场区光生载流子的漂移时间C.RC时间常数D.器件内部发生受激辐射的时间
考题
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，导体作用主要由空穴决定。此题为判断题(对，错)。
考题
主动红外探测器原理上由（）组成。A、光探测器B、光/电转换器件C、光学系统D、信号处理电路
考题
报警器是探测器的指示与控制部分，对探测器感受的火灾做出反应，以（）显示报警。A、声、电B、光、电C、声、光D、电
考题
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
考题
当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
考题
下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）A、载流子完成倍增过程所需要的时间B、载流子在耗尽层的渡越时间C、结电容和负载电阻的RC时间常数D、结电容和负载电感的LC时间常数
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
二极管加正向电压时，其正向是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果
考题
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
考题
PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
考题
多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果
考题
单选题报警器是探测器的指示与控制部分，对探测器感受的火灾做出反应，以（）显示报警。A
声、电B
光、电C
声、光D
电
考题
多选题主动红外探测器原理上由（）组成。A光探测器B光/电转换器件C光学系统D信号处理电路
考题
多选题光伏探测器的响应时间主要由（）因素决定。A光生载流子扩散到结区的时间B光生载流子的漂移时间C结电容和负载电阻决定的时间常数
