考题
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
考题
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
考题
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
考题
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
考题
P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
考题
评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。A、多数载流子B、少数载流子C、填充因子D、电子空穴对
考题
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）；（）、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。
考题
评价太阳能电池性能的优劣的参数是（）。A、少数载流子B、多数载流子C、填充因子D、空穴对
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
考题
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
考题
在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。A、有B、没有C、少数D、多数
考题
PN结是（）形成的。A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
考题
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
判断题在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。A
对B
错
考题
多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果