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结型场效应管工作时,要求栅源之间处于反偏状态()

此题为判断题(对,错)。


参考答案

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考题 耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏

考题 结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。

考题 1、结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。

考题 双极型晶体三极管处于放大状态工作时,其两个PN结即发射结和集电极结的状态是()。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏

考题 结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。

考题 N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压

考题 13、为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅极和源极之间的PN结必须反向偏置。

考题 1、结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流

考题 12、结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。