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题目内容 (请给出正确答案)
抑制性突触后电位是

A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致

参考答案

参考解析
解析:抑制性突触后电位是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl通透性增加,Cl内流产生局部超极化电位。故选B。
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考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.Mg2+

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

考题 可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+

考题 A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

考题 抑制性突触后电位发生的原因主要是:A. B. C. D.

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

考题 试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。

考题 抑制性突触后电位是在突触后膜产生()A、去极化B、超极化C、反极化D、复极化

考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

考题 抑制性突触后电位

考题 抑制性突触后电位(IPSP)

考题 判断题抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。A 对B 错

考题 单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A 兴奋性突触后电位和局部电位B 抑制性突触后电位和局部电位C 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A 棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B 棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C 棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D 棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E 棘波、慢波是由突触前电位构成

考题 名词解释题抑制性突触后电位(IPSP)

考题 名词解释题抑制性突触后电位

考题 单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()A K+B H+C Ca2+D Cl-E Na+