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题目内容
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抑制性突触后电位是()
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
参考答案
参考解析
解析:试题点评:突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋性下降,这种超极化电位变化称“抑制性突触后电位”。
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考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A
兴奋性突触后电位和局部电位B
抑制性突触后电位和局部电位C
兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D
兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是( )。A
棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B
棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C
棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D
棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E
棘波、慢波是由突触前电位构成
考题
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()A
K+B
H+C
Ca2+D
Cl-E
Na+
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