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灭菌后,培养料不需要在洁净的环境条件下进行冷却。


参考答案

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考题 非最终灭菌药品,灌装前不需除菌滤过的药液配制的空气洁净要求为( )

考题 制备注射剂的环境区域划分正确的是A.精滤、灌封、灭菌为洁净区B.精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区C.配制、灌封、灭菌为洁净区D.灌封、灭菌为洁净区E.配制、精滤、灌封、灯检为洁净区

考题 制备注射剂的环境区域划分哪一条是正确的 ( )A.精滤、灌封、灭菌为洁净区B.精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区C.配制、灌封、灭菌为洁净区D.灌封、灭菌为洁净区E.配制、精滤、灌封、灯检为洁净区

考题 制备注射剂的环境区域划分,正确的是A、精滤、灌封、灭菌为洁净区B、配制、灌封、灭菌为洁净区C、灌封、灭菌为洁净区D、配制、精滤、灌封为洁净区E、精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区

考题 关于无菌操作法的叙述错误的是A、无菌操作的主要场所包括无菌操作室、层流洁净工作台、无菌操作柜B、小量无菌制剂的制备普遍采用层流洁净工作台进行无菌操作C、所有的无菌操作法制备的产品,都不需要再灭菌D、适用于一些不耐热的注射液、眼用制剂、皮试液、海绵剂、创伤制剂E、无菌操作室常采用紫外线、液体、气体灭菌法对环境进行灭菌

考题 有关注射剂的制备,正确的是A.灌封、灭菌在洁净区进行 B.配制、灌封、灭菌在洁净区进行 C.精滤、灌封、灭菌在洁净区进行 D.配制、精滤、灌封在洁净区进行 E.精滤、灌封、安瓿封口在洁净区进行

考题 关于注射剂的环境区域划分,正确的是A、精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区 B、配制、精滤、灌封为洁净区 C、精滤、灌封、灭菌为洁净区 D、配制、灌封、灭菌为洁净区 E、灌封、灭菌为洁净区

考题 制备注射剂的环境区域划分,正确的是A.精滤、灌封、灭菌为洁净区B.配制、灌封、灭菌为洁净区C.灌封、灭菌为洁净区D.配制、精滤、灌封为洁净区E.精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区

考题 平菇灭菌后需要等到袋内培养料温度降低到28℃以下后再接种。

考题 金针菇灭菌后进入的冷却室不必采取洁净处理。

考题 注射剂制备过程中需要在洁净区完成的工序有()A、注射剂的粗滤B、注射剂的灌装C、安瓿干燥灭菌后的冷却D、注射剂的灭菌E、注射剂的灯检

考题 下列有关注射剂的制备,正确的是()A、精滤、灌封、灭菌在洁净区进行B、配制、精滤、灌封在洁净区进行C、灌封、灭菌在洁净区进行D、配制、灌封、灭菌在洁净区进行E、精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却在洁净区进行

考题 下列有关注射剂的制备,正确的是()A、精滤、灌封、灭菌在洁净区进行B、配制、精滤、灌封在洁净区进行C、灌封、灭菌在洁净区进行D、精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却在洁净区进行

考题 关于青霉素钠粉针剂的说法错误的是()A、为注射用无菌分装产品B、干燥状态下可进行补充灭菌C、临用前用灭菌注射用水溶解D、分装应在100级洁净条件下进行E、将环境湿度控制在青霉素钠的临界相对湿度以上

考题 煎膏剂应分装在洁净干燥灭菌的小口容器中,等充分冷却后加盖密闭。

考题 灭菌后,培养料需要进行洁净搬运。

考题 判断题金针菇灭菌后进入的冷却室不必采取洁净处理。A 对B 错

考题 单选题下列有关注射剂的制备,正确的是()A 精滤、灌封、灭菌在洁净区进行B 配制、精滤、灌封在洁净区进行C 灌封、灭菌在洁净区进行D 精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却在洁净区进行

考题 判断题灭菌后,培养料不需要在洁净的环境条件下进行冷却。A 对B 错

考题 单选题洁净室(区)洁净度的检测,应在()条件下进行。A 密封条件B 空态或静态C 洁净环境D 一定温湿度

考题 判断题煎膏剂应分装在洁净干燥灭菌的小口容器中,等充分冷却后加盖密闭。A 对B 错

考题 判断题灭菌后,培养料需要进行洁净搬运。A 对B 错

考题 单选题下列有关注射剂的制备,正确的是()A 精滤、灌封、灭菌在洁净区进行B 配制、精滤、灌封在洁净区进行C 灌封、灭菌在洁净区进行D 配制、灌封、灭菌在洁净区进行E 精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却在洁净区进行

考题 多选题注射剂制备过程中需要在洁净区完成的工序有()A注射剂的粗滤B注射剂的灌装C安瓿干燥灭菌后的冷却D注射剂的灭菌E注射剂的灯检

考题 单选题制备注射剂的环境区域划分哪项正确?(  )A 灌封、灭菌为洁净区B 精滤、灌封、灭菌为洁净区C 配制、灌封、灭菌为洁净区D 精滤、灌封、安瓿干燥灭菌后冷却为洁净区E 配制、精滤、灌封、灯检为洁净区

考题 单选题关于青霉素钠粉针剂的说法错误的是()A 为注射用无菌分装产品B 干燥状态下可进行补充灭菌C 临用前用灭菌注射用水溶解D 分装应在100级洁净条件下进行E 将环境湿度控制在青霉素钠的临界相对湿度以上

考题 单选题无菌制剂的关键工序灌装操作应在(  )。A 100级洁净条件下进行B 1000级洁净条件下进行C 10000级洁净条件下进行D 100000级洁净条件下进行E 300000级洁净条件下进行