考题
变形温度的升高，则( )。A.奥氏体动态再结晶后的晶粒减小B.奥氏体动态再结晶后的晶粒增大C.不影响奥氏体动态再结晶后的晶粒大小
考题
再结晶退火中残余应力显著降低是在（）A、回复B、再结晶C、晶粒长大
考题
再结晶形成的新晶粒在晶格类型上同原来晶粒是不同的。（）
考题
变形温度的升高，则（）。A、奥氏体动态再结晶后的晶粒减小B、奥氏体动态再结晶后的晶粒增大C、不影响奥氏体动态再结晶后的晶粒大小
考题
冷轧取向硅钢中，钢中（）与锰生成的夹杂抑制一次晶粒的长大，促使二次再结晶的发展。A、硫B、磷C、碳
考题
动态再结晶时再结晶后的晶粒度主要取决于（），当静态再结晶时取决于（）。
考题
塑性变形后的金属加热时，破碎的晶粒变成了等轴状，说明发生了（）。 A、结晶B、再结晶C、重结晶D、二次结晶
考题
二次再结晶是（）A、相变过程B、形核长大过程C、某些晶粒特别长大的现象
考题
在临界变形度范围进行塑性变形再结晶处理时，再结晶晶粒容易特别粗大。
考题
试就（1）推动力来源；（2）推动力大小；（3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。
考题
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
考题
当温度升高时整齐的晶粒变成破碎的晶粒，短晶粒变成等轴晶粒的过程叫再结晶
考题
当温度升高时破碎的晶粒变成整齐的晶粒，长晶粒变成等轴晶粒的过程叫（）。A、结晶B、再结晶C、回复
考题
简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
考题
问答题简述晶粒生长与二次再结晶的特点，以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
考题
单选题二次再结晶是指（）A
少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程B
多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程C
晶粒不断成核长大的过程D
少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
考题
问答题说明以下概念的本质区别： 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
考题
问答题试就（1）推动力来源；（2）推动力大小；（3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。
考题
单选题二次再结晶是（）A
相变过程B
形核长大过程C
某些晶粒特别长大的现象
考题
单选题晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）A
初期B
中期C
后期
考题
判断题原始晶粒越大，再结晶晶粒越大。（）A
对B
错
考题
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
