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在PNP型晶体管中,N型半导体的引出线基极用()表示,它起控制作用。

  • A、b
  • B、c
  • C、d
  • D、e

参考答案

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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

考题 不含杂质的半导体叫做() A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体D、晶体管

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对,错)。

考题 对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。 A.发射极B.基极C.集电极D.不确定

考题 TTL电路是晶体管£­晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对,错)。

考题 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。

考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

考题 关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

考题 半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。A、N型B、P型C、本征D、PNP型

考题 在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端应该是()。A、PNP型的基极B、NPN的基极C、PNP型的发射极D、NPN的发射极

考题 对于PNP型管而言,它的发射极高于基极电位,而基极电位()集电极电位。A、等于B、高于C、低于D、大于等于

考题 在本质半导体加入三价的硼,则成为()。A、N型B、P型C、NPN型D、PNP型

考题 为什么霍尔元件不用金属制作,而用半导体,且用N型半导体制作?

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 固体半导体摄像元件CCD是一种()A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路

考题 PNP型或NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 在硅半导体中掺入少量的磷杂质,这种半导体一般称为()型半导体。A、PB、NC、PND、PNP

考题 晶体管是在PN接合半导体上,再接合一块P型或N型半导体

考题 在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端应该是()。A、PNP型的基极B、PNP型的集电极C、NPN型的发射极D、PNP型的发射极

考题 晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。

考题 填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻,但是通常使用N型半导体材料,这是由于电子的()比空穴大。

考题 问答题为什么霍尔元件不用金属制作,而用半导体,且用N型半导体制作?

考题 单选题关于N型半导体的下列说法,错误的是()。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

考题 单选题对于PNP型管而言,它的发射极高于基极电位,而基极电位()集电极电位。A 等于B 高于C 低于D 大于等于

考题 单选题关于N型半导体的下列说法,正确的是()。A 只存在一种载流子:自由电子B 在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成