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对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
参考答案
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考题
8、IGBT的饱和工作原理是()。A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
考题
【单选题】对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。A.发射极B.基极C.集电极
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