考题
变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口
考题
简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。
考题
在理想的灭磁过程中,励磁绕组两端的电压始终为最大允许值不变,励磁电流衰减速度始终保持不变,即di／dt为一常数。()
此题为判断题(对，错)。
考题
写出如图空心变压器的输入的特性方程为()。A、u1=L1(di1/dt)+M(di2/dt)B、u1=L1(di1/dt)-M(di2/dt)C、其它
考题
交流电路中对电感元件uL=L(di/dt)总成立。
考题
第一类、第二类、第三类防雷建筑物首次雷击雷电流幅值分别为（）。雷电流陡度di/dt分别为（）。后续雷击雷电流幅值分别为（）。雷电流陡度di/dt分别为（）。
考题
设避雷针高度h=30m，I=100kA，R=10Ω，雷电流上升梯度dI/dt=32KA/μs，L=1.5μH，求雷击避雷针后顶端的直击雷过电压为多少伏？
考题
第一、第二、第三类防雷建筑物首次雷电流幅值分别为（）、（）、（），其雷电流陡度di/dt分别为（）、（）、（）。
考题
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
考题
调速系统整流电路串入平波电抗器，使主电路整流电流连续，以防止间断出现使晶闸管承受较大的di/dt而烧毁。
考题
雷电流在波前部分上升速度di/dt为雷电流陡度。
考题
为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
考题
晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
考题
试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
考题
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
考题
电力电子器件的缓冲电路用来减小器件在开关过程中产生的过压、过流、过热、du/dt和di/dt，确保器件安全可靠运行。说出几种典型的缓冲吸收电路及其用途。
考题
雷电流波头的陡度用di／dt表示，其中位为（）。A、A／sB、kA／sC、kA／msD、A／μs
考题
雷电流波头的陡度用di/dt表示，其单位一般为（）。A、A/sB、KA/sC、KA/μsD、A/μs
考题
问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
考题
填空题现代直流快速开关的开断能力可达（）kA，此时直流主电路电流突变率di／dt为（）A／s。
考题
多选题据楞次定律可知，线圈的电压与电流满足（）关系。A（di/dt）0时，eL0B（di/dt）0时，eL0C（di/dt）0时，eL0D（di/dt）0时，eL0
考题
填空题第一、第二、第三类防雷建筑物首次雷电流幅值分别为（）、（）、（），其雷电流陡度di/dt分别为（）、（）、（）。
考题
问答题设避雷针高度h=30m，I=100kA，R=10Ω，雷电流上升梯度dI/dt=32KA/μs，L=1.5μH，求雷击避雷针后顶端的直击雷过电压为多少伏？
考题
填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
考题
问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
考题
填空题第一类、第二类、第三类防雷建筑物首次雷击雷电流幅值分别为（）。雷电流陡度di/dt分别为（）。后续雷击雷电流幅值分别为（）。雷电流陡度di/dt分别为（）。
考题
问答题电力电子器件的缓冲电路用来减小器件在开关过程中产生的过压、过流、过热、du/dt和di/dt，确保器件安全可靠运行。说出几种典型的缓冲吸收电路及其用途。
