网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。

参考答案

更多 “ 简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。 ” 相关考题
考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
查看答案
考题 试简述泥浆护壁成孔灌注桩施工中常见问题、产生原因及其处理措施。
查看答案
考题 在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用()。 A、限制输入电流的上升B、限制di/dt过大C、延长导通时间D、将功率因数提高到 0.9
查看答案
考题 写出如图空心变压器的输入的特性方程为()。A、u1=L1(di1/dt)+M(di2/dt)B、u1=L1(di1/dt)-M(di2/dt)C、其它
查看答案
考题 如图空心变压器的输出的特性方程为()。A、u2=L1(di2/dt)-M(di1/dt)B、u2=L2(di2/dt)-M(di12/dt)C、其它
查看答案
考题 简述操作技能学习的高原现象及其产生的主要原因。
查看答案
考题 开通缓冲电路（di/dt抑制电路）的作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。
查看答案
考题 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（）A．du/dt抑制电路B．抗饱和电路C．di/dt抑制电路D．吸收电路
查看答案
考题 简述油轮污染海洋的主要原因及其避免油污染的措施。
查看答案
热门标签
最新试卷