网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
填空题
晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现(),若di/dt过大,会导致晶闸管()。

参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现(),若di/dt过大,会导致晶闸管()。” 相关考题
考题 逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭

考题 晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压

考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现______,若di/dt过大,会导致晶闸管______。

考题 可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。

考题 由通态到断态,能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。

考题 造成晶闸管误导通的主要原因有()。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小

考题 造成晶闸管误导通的原因有两个:一是干扰信号加于门极,二是加到晶闸管上的电压上升率过大。

考题 双向晶闸管承受()的能力较低。A、电压上升率B、电压下降率C、电流上升率D、电流下降率

考题 晶闸管在正向阳极电压作用下,当()加入适当的信号时,可使晶闸管由断态变为通态。

考题 晶闸管的主要参数有()。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT(AV) D、通态平均管压降UT(AV)  E、维持电流IH

考题 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。

考题 晶闸管元件由断态到通态,脉冲切除后,能够维持元件导通的最小阳极电流叫做()。

考题 为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?

考题 为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt?

考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 晶闸管元件由通态到断态,能够维持元件导通的最小阳极电流叫做()。

考题 若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。

考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大,可能会造成晶闸管因局部过热而损坏,而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大,可能会造成晶闸管的()。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通

考题 采用电压上升率du/dt限制办法后,电压上升率与桥臂交流电压()成正比的作用。A、有效值B、平均值C、峰值D、瞬时值

考题 造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是()。A、门极电压过高B、阳极电压过高C、阴极电压过高D、阳极电压过低

考题 晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压

考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 问答题为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt?

考题 判断题过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。A 对B 错

考题 问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?

考题 填空题晶闸管在正向阳极电压作用下,当()加入适当的信号时,可使晶闸管由断态变为通态。