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问答题
为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt?

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考题 逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口

考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现______,若di/dt过大,会导致晶闸管______。

考题 为什么要将晶闸管串并联使用?( )A.单个晶闸管电压不能满足要求。 B.单个晶闸管电流定额不能满足要求。 C.外部电压过高。 D.外部电流过大。

考题 用晶闸管变流装置与直流电动机组成的直流调速系统中,多台变流器共用一台整流 变压器时,每台变流器分别通过进线电抗器供电。以下对进线电抗器所起作用的描述中正确 的是( 〉。 A.限制晶闸管导通时的di/dt; B.限制短路时的短路电流上升率; C.提高变流器输入电压; D.改善电源电压波形,消除变流器运转时对电源系统的公害。

考题 可控硅的主要特性参数有:正向阻断峰值电压PFV,反向阻断峰值电压PRV,额定正向平均电流IF,维持电流IH,控制级触发电压Vg,电压上升率dV/dt,电流上升率di/dt,额定结温Tc等。

考题 晶闸管换流器对晶闸管元件的基本要求是()。A、耐压强度高B、载流能力强C、电流上升率与电压上升率的限制符合要求D、尺寸不能超标

考题 造成晶闸管误导通的主要原因有()。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小

考题 逆变桥由晶闸管VT7~VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()。A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

考题 晶闸管为什么要动态均流?

考题 双向晶闸管承受()的能力较低。A、电压上升率B、电压下降率C、电流上升率D、电流下降率

考题 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。

考题 为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?

考题 为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt?

考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

考题 通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的()倍。A、1~1.5B、1.5~2C、2~2.5D、2.5~3

考题 若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。

考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大,可能会造成晶闸管因局部过热而损坏,而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大,可能会造成晶闸管的()。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通

考题 采用电压上升率du/dt限制办法后,电压上升率与桥臂交流电压()成正比的作用。A、有效值B、平均值C、峰值D、瞬时值

考题 造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快,二是()。A、门极电压过高B、阳极电压过高C、阴极电压过高D、阳极电压过低

考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

考题 单选题双向晶闸管承受()的能力较低。A 电压上升率B 电压下降率C 电流上升率D 电流下降率

考题 判断题过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。A 对B 错

考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若du/dt过大,就会使晶闸管出现(),若di/dt过大,会导致晶闸管()。

考题 问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?

考题 问答题什么是控制角а?导通角θ?为什么一定要在晶闸管承受正向电压时触发晶闸管?