考题
三型机的器件温度异常与（）无关。A、光子探头B、测温板C、温控板D、19芯电缆
考题
碲镉汞器件的波长范围λ为（）。A、1～3μmB、3～5μmC、5～7μmD、7～9μm
考题
碲镉汞响应时间常数比热敏电阻小（）数量级。A、一个B、二个C、三个D、四个
考题
在三型机中，盘温可代表（）。A、环温B、热靶温度C、探头内部温度D、光子器件温度
考题
下面哪几项可以体现HBDS-III型机的自适应特性（）。A、采用碲镉汞器件B、铂电阻测温C、热靶标定D、探头标定
考题
碲镉汞器件的峰值波长为（）。A、3.6μmB、4.6μmC、5.6μmD、3μm
考题
热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A、锑镉汞直流探头B、锑镉汞交流探头C、锑镉汞调制探头D、热敏电阻调制探头
考题
THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、碲镉汞光子器件D、热靶
考题
（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A、锑镉汞B、锑镉铟C、锑镉铋D、贡镉铟
考题
（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A、响应率B、信噪比C、兑现率D、准确率E、灵敏度
考题
HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A、60℃B、70℃C、80℃D、90℃
考题
THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A、双浸没热敏电阻B、碲镉汞光子器件C、铂电阻D、普通电阻
考题
THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。
考题
单选题THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A
双浸没热敏电阻B
碲镉汞光子器件C
铂电阻D
普通电阻
考题
单选题（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
多选题THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A响应率B信噪比C兑现率D准确率E灵敏度
考题
单选题THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A
光子探头B
热敏探头C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
单选题HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A
60℃B
70℃C
80℃D
90℃
考题
判断题（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A
对B
错
考题
单选题光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A
锑镉汞B
锑镉铟C
锑镉铋D
贡镉铟
考题
多选题下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（）A锗掺汞B硫化镉C硫化铅D锑化汞E碲鎘汞
考题
问答题晶体碲镉汞是一种连续固溶体半导体，是目前最重要的红光探测器件材料，请从结构上分析碲镉汞作为探测器 材料的优势和缺点。
考题
单选题热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A
锑镉汞直流探头B
锑镉汞交流探头C
锑镉汞调制探头D
热敏电阻调制探头
考题
单选题THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
碲镉汞光子器件D
热靶
