考题
晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称之为歪晶。
考题
下列关于助熔剂法的说法正确的是（）。A、可生成较大的晶体，且生长速度快B、可生成加大的晶体，但生长速度慢C、只能生成较小的晶体D、生长速度较快
考题
诊断肿瘤，区别良、恶性的主要形态学的主要特征是（）。A、生长方式B、异型性C、生长速度D、有无包膜
考题
在个体发展过程中，会因为成熟出现（）。A、生长速度加快B、旧特征消失的现象C、生长速度减慢D、生长停滞现象
考题
幼儿期乳牙脱落是个体在发展过程中，因为成熟出现的（）。A、生长速度加快现象B、旧特征消失的现象C、生长速度减慢现象D、生长停滞现象
考题
晶体宏观长大方式包括（）A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长
考题
晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
晶体从缺陷处生长的种类包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其（），晶面的（），其生长速度小，晶面变大。也就是说晶体通常被面网密度的面网所包围，这个规律叫做（）
考题
晶体的生长速度与面网密度（）A、密度越大，生长越快B、密度越大，生长越慢C、无关
考题
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
晶体宏观长大方式不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长
考题
单选题晶体宏观长大方式包括（）A
树枝晶方式生长B
旋转孪晶生长C
反射孪晶生长D
螺旋位错生长
考题
填空题离异生长：两相没有共同的生长界面，它们各以不同的速度而独立生长，在形成的组织中没有共生共晶的特征，这种非共生生长的共晶结晶方式称为离异生长，所形成的组织称为（）。
考题
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
多选题晶体从缺陷处生长的种类包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长
考题
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长
考题
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长
考题
单选题在个体发展过程中，会因为成熟出现（）。A
生长速度加快B
旧特征消失的现象C
生长速度减慢D
生长停滞现象
考题
单选题晶体宏观长大方式包括（）A
螺旋位错生长B
平面方式生长C
反射孪晶生长D
旋转孪晶生长
考题
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A
晶体生长速度大大超过晶核生成速度B
晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C
晶体生长速度等于晶核生成速度D
以上都不对
考题
单选题晶体的生长速度与面网密度（）A
密度越大，生长越快B
密度越大，生长越慢C
无关
考题
填空题晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其（），晶面的（），其生长速度小，晶面变大。也就是说晶体通常被面网密度的面网所包围，这个规律叫做（）
考题
单选题晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A
螺旋位错生长B
旋转孪晶生长C
反射孪晶生长D
平行位错生长
考题
单选题幼儿期乳牙脱落是个体在发展过程中，因为成熟出现的（）。A
生长速度加快现象B
旧特征消失的现象C
生长速度减慢现象D
生长停滞现象
