考题
晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称之为歪晶。
考题
天然宝石晶体的晶面的生长速度的特征是：（）A、生长快速B、生长慢速C、速度中等D、没有特征
考题
晶体的生长中心，称为（）A、晶胞B、晶格C、晶核D、晶种
考题
晶体宏观长大方式包括（）A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长
考题
晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
晶体从缺陷处生长的种类包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长
考题
非共生生长的共晶结晶方式称为（）A、共晶生长B、共生生长C、离异生长D、伪共晶生长
考题
晶体的生长速度与温度有何关系？为什么玻璃成形过程中一般不容易析晶，而在后期的热处理过程中则容易析晶？
考题
胚珠在生长时，因珠柄与其他部分生长速度不同，可形成不同类型的胚珠，其常见的有（）、（）、（）与（）。
考题
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
考题
生长丘是钻石晶体在生长过程中形成的，具有规则几何形状而突出于（）的生长物。A、晶棱B、晶面C、晶带D、晶核
考题
晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快，这种现象叫（）。
考题
对纯金属，正确的是（）A、在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B、在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C、在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D、在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
考题
晶体宏观长大方式不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长
考题
单选题非共生生长的共晶结晶方式称为（）A
共晶生长B
共生生长C
离异生长D
伪共晶生长
考题
单选题晶体从缺陷处生长的种类不包括（）A
螺旋位错生长B
旋转孪晶生长C
反射孪晶生长D
平行位错生长
考题
问答题晶体的生长速度与温度有何关系？为什么玻璃成形过程中一般不容易析晶，而在后期的热处理过程中则容易析晶？
考题
填空题晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内的扩散速度快，这种现象叫（）。
考题
单选题晶体宏观长大方式包括（）A
树枝晶方式生长B
旋转孪晶生长C
反射孪晶生长D
螺旋位错生长
考题
填空题离异生长：两相没有共同的生长界面，它们各以不同的速度而独立生长，在形成的组织中没有共生共晶的特征，这种非共生生长的共晶结晶方式称为离异生长，所形成的组织称为（）。
考题
多选题晶体从缺陷处生长的种类包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长
考题
多选题对纯金属，正确的是（）A在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
考题
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长
考题
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长
考题
单选题晶体宏观长大方式包括（）A
螺旋位错生长B
平面方式生长C
反射孪晶生长D
旋转孪晶生长
考题
填空题晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其（），晶面的（），其生长速度小，晶面变大。也就是说晶体通常被面网密度的面网所包围，这个规律叫做（）
