考题
硅稳压管的反向特性曲线越陡，稳压效果越好。此题为判断题(对，错)。
考题
硅稳压管起稳压作用时工作在（）区。A、正向导通区B、反向截止区C、反向击穿区
考题
由于硅稳压管的反向电压很低，所以在稳压电路中不允许怎样？
考题
硅稳压管工作于（）它在电路中起稳定电压的作用。A、正向电压；B、反向电压；C、反向击穿区
考题
稳压二极管的反向特性越陡，稳压效果（）A、越差B、越好C、不变
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡（）。A、稳压效果越差B、稳压效果越好C、稳压的电压值越高D、稳定的电流值越高
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡，稳压效果怎样？
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡，（）。A、稳压效果越差B、稳压效果越好C、稳定的电压值越高D、不确定
考题
硅稳压管的稳定电压是指（）。A、稳压管的反向截止电压B、稳压管的反向击穿电压C、稳压管的正向死区电压D、稳压管的正向导通电压
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡（）。A、稳压效果越差B、稳压效果越好C、稳定的电压值越高D、稳定的电流值越高
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡则（）。A、稳压效果越差B、稳压效果越好C、稳定的电压值越高D、稳定的电流值越高
考题
硅稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的。（）
考题
稳压二极管的反向特性曲线越陡（）。A、稳压的电压值越高B、稳压效果越差；C、稳压效果越好。
考题
稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。
考题
硅稳压管的工作状态是（）A、正向导通B、正向击穿C、反向截止D、反向击穿
考题
由于硅稳压管的反向电压很低，所以它在稳压电路中不允许反接。
考题
在硅稳压管的简单并联型稳压电路中，稳压管应工作在反向击穿状态，并且应与负载电阻串联。
考题
在硅稳压管的简单并联型稳压电路中，稳压管应工作在反向击穿状态，并且应与负载电阻串联。并联
考题
单选题硅稳压管稳压电路工作时，稳压管工作状态应为（）。A
正向导电B
反向偏置C
反向电击穿D
反向热击穿
考题
判断题稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。A
对B
错
考题
单选题硅稳压管起稳压作用时工作在（）区。A
正向导通区B
反向截止区C
反向击穿区
考题
判断题稳压二极管的反向击穿特性曲线很陡，说明它的动态电阻rz越小，它的稳压性能越好。A
对B
错
