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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

  • A、二氧化硅
  • B、氮化硅
  • C、单晶硅
  • D、多晶硅

参考答案

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考题 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅
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考题 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
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考题 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
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考题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
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考题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A、气体B、等离子体C、固体D、液体
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考题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
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考题 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅
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考题 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
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考题 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
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考题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
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考题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
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考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
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考题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
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考题 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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考题 可采用二氧化硅和碳作为原材料，在大型电弧炉中进行冶炼获得的硅材料是（）A、单晶硅B、多晶硅C、冶金级硅D、非晶硅
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考题 问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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考题 问答题哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
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考题 问答题Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
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考题 填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
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考题 问答题列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A 对B 错
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考题 问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
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考题 单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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考题 判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A 对B 错
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