考题
引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高,当其超过一定限值时,电介质就会因失去绝缘性能而损坏。()
此题为判断题(对，错)。
考题
下列哪种介质同其他介质相比，具有在击穿后完全的绝缘自恢复特性？（ ）A.气体电介质
B.液体电介质
C.固体电介质
D.复合电介质
考题
提高固体电介质击穿电压的方法：①（）；②提高绝缘的制造工艺水平；③改善绝缘的运行条件。
考题
电介质的介电性能包括（）A极化B损耗C绝缘D绝缘强度
考题
引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高，当其超过一定限值时，电介质就会因失去绝缘性能而损坏。A对B错
考题
在强电场作用下，电介质丧失电绝缘能力的现象分为（）。A、固体电介质击穿B、绝缘老化C、液体电介质击穿D、气体电介质击穿
考题
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
考题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
考题
击穿电压是指使电介质丧失其绝缘性能而导电时，作用于其上的最低临界电压。
考题
什么是介质损耗？为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
考题
固体电介质击穿后，（）其绝缘性能。A、失去B、保持C、恢复D、增加
考题
电介质就是绝缘体，在电介质内没有可以移动的电荷，也没有自由移动的电荷。下面属于电介质的有：（）。A、大气分子B、气溶胶粒子C、云中粒子中的电子D、大气中的水滴
考题
固体电介质发生击穿后，经过一段时间绝缘性能可以重新恢复。
考题
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
考题
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A、单晶硅B、多晶硅C、硅化金属D、二氧化硅E、氮化硅
考题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
考题
在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（）生产氮化硅膜是历来常用的方法。
考题
引起绝缘电击穿的主要原因是作用在电介质上的电场强度过高，当其超过一定限值时，电介质就会因失去绝缘性能而损坏。
考题
（）是因电场使电介质中积聚起足够数量和能量的带电质点而导致电介质失去绝缘性能。A、电击穿B、电化学击穿C、热击穿D、电离击穿
考题
（）一旦发生击穿后，构成永久性破坏，绝缘性能不可能恢复。A、固体电介质B、气体电介质C、液体电介质
考题
为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
考题
单选题（）一旦发生击穿后，构成永久性破坏，绝缘性能不可能恢复。A
固体电介质B
气体电介质C
液体电介质
考题
多选题电介质就是绝缘体，在电介质内没有可以移动的电荷，也没有自由移动的电荷。下面属于电介质的有：（）。A大气分子B气溶胶粒子C云中粒子中的电子D大气中的水滴
考题
多选题电介质的介电性能包括（）A极化B损耗C绝缘D绝缘强度
考题
判断题一切电介质的电气强度都是有限的，超过某种限度电介质就会丧失其原有的绝缘性能。A
对B
错
考题
判断题电介质损耗的大小是衡量绝缘电性能的一项重要指标A
对B
错
