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器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
- A、掩膜版
- B、扩散
- C、光刻
参考答案
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考题
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水
考题
飞机的横向操纵是如何实现的:()A、通过操纵驾驶杆或驾驶盘控制升降舵来实现B、通过操纵驾驶杆或驾驶盘控制副翼来实现C、通过操纵襟翼手柄控制襟冀的收放来实现D、通过操纵脚蹬控制方向舵来实现
考题
判断题热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。A
对B
错
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