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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

  • A、二氧化硅
  • B、氮化硅
  • C、光刻胶
  • D、去离子水

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考题 判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A 对B 错
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考题 填空题塑料板、片与薄膜之间是没有严格界限的，通常把厚度在（）称为平膜，（）称为片材，（）称为板材。
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