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STI隔离技术中,为什么采用干法离子刻蚀形成槽?
参考答案
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考题
下列有关ARC工艺的说法正确的是()。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
考题
问答题在STI的刻蚀工艺过程中,要注意哪些工艺参数?
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