考题
PM2.5是空气中直径小于或等于()的可吸入颗粒物。A25微米B0.25微米C0.25毫米D2.5微米
考题
飘尘的直径在( )A.100微米以下
B.10微米以下
C.5微米以下
D.1微米以下
E.0.4微米以下
考题
吸入气雾剂的微粒大小应在范围内最适宜A.0.25～2.5微米B.0.5～5微米C.0.75～7.5微米D.小于1微米E.大于10微米
考题
（）微米颗粒的淤浆催化剂一般用于生产高密度树脂。
考题
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
考题
除尘器的中净化标准（）。A、捕集粉尘粒径100微米上B、10～100微米C、10微米以下D、150微米以上
考题
飘尘的直径在（）A、100微米以下B、10微米以下C、5微米以下D、1微米以下E、0.4微米以下
考题
通常所说的CPU制造工艺“XX微米”值越大越好。
考题
为什么需要对工艺方案及工艺装备方案进行技术经济分析？
考题
以下电化铝的片基规格那个不是常用的（）A、12微米B、16微米C、20微米D、22微米
考题
微粉剂又称FD粉剂，其平均粒径在（）以下。A、5微米B、10微米C、30微米D、74微米
考题
吸入气雾剂的微粒大小应在范围内最适宜（）A、0.25～2.5微米B、0.5～5微米C、0.75～7.5微米D、小于1微米E、大于10微米
考题
精密过滤器是将瓦斯气杂质过滤到（）以下。A、1微米B、2微米C、5微米D、4微米
考题
单选题飘尘的直径在（）A
100微米以下B
10微米以下C
5微米以下D
1微米以下E
0.4微米以下
考题
问答题简述半导体工艺中等离子体最重要的三种碰撞
考题
问答题试就高温、低温、高密度、低密度等离子体各举一例。
考题
判断题与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A
对B
错
考题
问答题常规等离子体具有不容忍内部存在电场的禀性，这是否意味着等离子体内部不可能存在很大的电场，为什么？
考题
填空题Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺
考题
单选题吸入气雾剂的微粒大小应在范围内最适宜（）A
0.25～2.5微米B
0.5～5微米C
0.75～7.5微米D
小于1微米E
大于10微米
考题
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
考题
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
考题
问答题什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量？
考题
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A
对B
错
考题
判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A
对B
错
考题
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
